三星宣布位于韩国平泽市的第二条生产线（P2工厂）已开始导入极紫外（EUV）技术批量生产16 Gb LPDDR5。新16Gb LPDDR5采用的是三星第三代10nm级（1znm）工艺为基础，拥有更高容量和更高性能，能够满足下一代智能手机中5G和AI功能的应用。

三星DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示：“基于1znm 16Gb LPDDR5将行业标准提升到一个新的门槛，克服了更高节点上DRAM扩展的瓶颈。随着整个DRAM市场的增长，将继续扩大高容量DRAM产品阵容，满足客户的需求量。”

三星1Znm 16Gb LPDDR5容量增加33%，速度提高16%

三星量产的16Gb LPDDR5首次导入EUV工艺，基于1znm制程技术，更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%，封装的厚度也薄了30%，有助于满足5G、多摄像头以及可折叠智能手机将更多功能整合到设备中，满足对更大容量的需求。

三星新16Gb LPDDR5拥有6400 Mb/s的速度，比当今大多数旗舰移动设备中搭载的12Gb LPDDR5（5500Mb/s）快约16%。若生产16GB容量LPDDR5仅需8个16Gb芯片进行封装，而基于1ynm则需要12个（8个12Gb芯片和4个8Gb芯片）芯片，新技术在同等容量上成本将更低。

随着5G手机不断上市，当前主流高端旗舰机已标配LPDDR5，且高配容量已升级到12GB，随着三星基于新技术封装成16GB容量LPDDR5的量产增加，将可推动高端旗舰机向更高容量升级，届时可以在一秒钟内传输约10个5GB大小的全高清电影或51.2GB的数据。

三星表示，基于1znm制程技术和EUV工艺，计划在2021年进一步加强LPDDR5在旗舰机中的应用，同时还将把LPDDR5产品扩大温度范围，以满足极端环境中严格的安全性和可靠性标准，将LPDDR5扩展到汽车中应用。

继DRAM之后，三星P2新厂将在2021下半年量产下一代V-NAND芯片

三星声称平泽P2工厂是迄今为止规模最大的半导体生产线，新的平泽生产线将成为业界最先进的半导体技术重要制造中心，将制造最先进的DRAM和下一代V-NAND和晶圆代工，巩固公司领导地位。

三星在P2工厂除了导入EUV工艺量产1znm 16 Gb LPDDR5，已投资8兆韩元正在建设NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片，以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

另据之前消息称，三星还准备在平泽市建设P3工厂，计划在9月开始建设，该工厂的生产制造规模要比P2工厂更大，根据一般Fab工厂建筑完工大约需要一年，预计P3工厂将在2021年Q3竣工，投入量产时间将从2021年底开始，至于新工厂建成后具体投产计划尚未确定，需根据市场需求变化而决定。

行业竞争激烈，三星持续加码投资，稳固领先地位迫在眉睫

虽然受全球“疫情”影响，2020下半年数据中心、企业等领域需求降温，手机出货也面临下滑窘境，使得短期存储产业受挫，但是在数据中心、5G、人工智能等技术推动下，未来存储产业前景可观，这也是三星加码投资的主要原因之一。

其次，以长江存储和长鑫存储为代表的中国存储企业在技术上已有重大突破，同时也在整合上下游资源加强在市场上的布局。作为存储领导企业的三星，势必要加快技术的升级和产能的扩充，以稳固在市场上的领先地位。

随着三星平泽新P2工厂投产，再加上位于中国西安二期第一阶段新工厂在Q3实现产能满载，以及正在新建的西安二期第二阶段计划在2021年年中投产，代表未来2年内三星DRAM和NAND Flash产能将大增，势必会增加业内人士对产业供应过剩的担忧。