最新消息称，美光计划在2021年提出建设A5厂项目的申请，持续加码投资DRAM，将用于1Znm制程之后的微缩技术发展。

据悉，目前美光在台湾地区布局，包括中科的前段晶圆制造A1、A2厂和后段封装厂，在桃园有A、B两厂，其中1Znm产线主要位于台中厂，而桃园厂则以1ynm量产技术为主。此外，美光正在新建A3工厂洁净室，预估将在2021年投入量产1Znm或1α技术，进一步扩大先进技术的量产规模。

美光2021年A5厂建设计划主要彰显了美光对DRAM未来发展的乐观看法，也提高了美光在台湾地区DRAM生产基地的重要战略地位。不过，目前美光没有透露A5投产计划的细节，对于新厂地址也不予评论。

美光投资建厂不断，对短期DRAM市场影响有限，新产能将在2021年放量

据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2020年第二季度DRAM整体销售额170.6亿美元，环比增长15%，同比增长16%，三星、SK海力士、美光三大原厂占据95%以上的市场份额，一直处于全球垄断地位，而美光市场份额占比21.2%，排名第三，原厂DRAM扩产动作对市场影响深远。

2020年由于受“疫情”影响，导致全球经济不景气，尤其是到下半年，据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，在近2个月的时间里，服务器DRAM出现了小幅度的价格下滑，消费类内存条价格跌幅也超过10%，部分产品价格跌幅甚至已超过了20%，包括原厂、品牌厂等存储产业链企业出货和获利均面临压力。

9月份是传统的“备货时期”，再加上华为备货、物流紧张等影响，行业市场订单略有好转，渠道市场询单也有所增加，市场价格初现回温迹象。然而，A5工厂是继A3新工厂之后，美光又一新厂建设项目，意在持续加码在DRAM领域的投资。面对美光投资扩产消息，业内人士不免会担忧，恐会抑制当前市场需求回暖。

不过，根据投资建厂的进度，美光正在新建A3工厂洁净室，预估将在2021年Q1投入量产1Znm或1α技术，而A5工厂规划的是在2021年开始建设，预估投产的时间节点将在2022年，也就是说美光投资导致的DRAM产出明显增加将从2021年开始，所以短期对DRAM市场的影响是有限的。

EUV工艺已拉响战局，美光新建A5工厂或为导入EUV工艺准备

2020年三大原厂三星、美光、SK海力士等DRAM技术主要是从1Ynm全面向1Znm推进，这也是DRAM第三代10nm级技术。但是DRAM到第四代10nm级之后，原厂将会大规模的导入EUV工艺。

在EUV工艺方面，三星从1Znm制程就在导入EUV工艺，可谓抢占了先机。今年3月，三星率先宣布已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块。8月三星再次宣布位于韩国平泽市的第二条生产线（P2工厂）已开始导入极紫外（EUV）技术批量生产16Gb LPDDR5。新16Gb LPDDR5采用的是三星第三代10nm级（1znm）工艺为基础，拥有更高容量和更高性能，能够满足下一代智能手机中5G和AI功能的应用。

为了加快下一代技术的发展，SK海力士内部也已经成立了研究小组，专门针对DRAM技术的EUV光刻展开相关研究，并着手研发1anm DRAM技术，内部的代号为“南极星”，工艺节点将在15nm左右，预计将会在该制程中引入EUV光刻技术。

此外，SK海力士也在建设利川“ M16”工厂，目前该工厂还在建设中，安装设备后计划于2021年1月投产，初期12英寸晶圆产出1.5万-2万片/月，或用于扩大新一代DDR5产量，以及导入EUV工艺，量产1anm DRAM。

至于美光，DRAM 1Ynm和1Znm技术节点产量已超过50%，根据规划，1Znm DRAM技术之后将向1α、1β、1γ发展。在2年前，美光曾表示在1α及1β工艺之前不会用到EUV。但是，随着三星导入EUV工艺，以及DRAM价格在近2年时间里持续下滑，使得美光重新评估EUV工艺的导入时间节点，而将在2021年规划开建的A5或是未雨绸缪，以便带来更优的DRAM成本效益。